文 | 半导体产业纵横五八策略
Q2，存储芯片市场是炙热的。
在今年第二季度的第一天，也就是 4 月 1 日开始，存储芯片的涨价信号正式释放。市场此前的消极、低迷情绪随之改变。
受原厂减产推动，其价格持续上行。NAND 芯片价格开始回温，DDR4 价格一涨再涨，HBM 市场的竞争也步入白热化。
市场的热度，正通过 SK 海力士、三星和美光这三大存储公司的二季度财报具体呈现。与此同时，本轮市场行情的最大赢家也逐步清晰。
SK 海力士，首次夺冠！
SK 海力士 Q2 营业收入为 22.232 万亿韩元（约 161.7 亿美元）, 同比增长 35%，营业利润为 9.2129 万亿韩元，同比暴涨 69%，净利润为 6.9962 万亿韩元，同比增长 70%。该季度 SK 海力士营收与营业利润均创下季度业绩历史新高。
此前 Counterpoint 高级研究员 Choi Jeong-ku 曾表示：" SK 海力士在 2023 年第一季度遭遇了史上最大季度亏损和减产的痛苦，但随着 2024 年第一季度实现了 HBM3E 的全球首次量产，开启了强劲的上升势头。SK 海力士在 2025 年第一季度首次创下了 DRAM 市场销售额全球第一的纪录，并在 2025 年第二季度与三星争夺整体存储市场第一的位置。"
如今，这一答案已然揭晓。在 Q1 取得里程碑式成绩后，Q2 SK 海力士首次在全球存储市场销售中超越三星。
三星也于 7 月最后一天公布了 Q2 财报。不同于 SK 海力士的一路高涨，三星这边却寒意正浓。
三星 Q2 营收为 74.6 万亿韩元 ( 约合 536.5 亿美元 ) ，环比减少 6%，同比增长 1%；经营利润 4.7 万亿韩元 ( 约合 33.8 亿美元 ) ，环比减少 30%，同比大减 56%；净利润 5.1 万亿韩元 ( 约合 36.7 亿美元 ) ，环比减少 38%，同比减少 48%。
具体业务方面，三星电子 Q2 存储营收为 21.2 万亿韩元 ( 约合 152.5 亿美元 ) ，环比增长 11%，同比减少 3%。存储业务所在的 DS 部门 Q2 营收 27.9 万亿韩元 ( 约合 200.7 亿美元 ) ，环比增长 11%，同比减少 2%，经营利润为 0.4 万亿韩元 ( 约合 2.9 亿美元 ) ，环比减少 64%，同比减少 94%，为近六季以来首度跌破万亿韩元大关。
美光 2025 财年第三财季财报（截至 2025 年 5 月 29 日）显示，该季度营收为 93.01 亿美元，环比增长 15.5%，同比增长 36.6%；调整后运营收益 24.9 亿美元，同比增长 62%；净利润为 18.85 亿美元，环比增长 19%，同比暴增 468%。
这类存储芯片，引爆市场
在存储芯片市场 HBM 是当之无愧的香饽饽，但是令人意外的是，DDR4 也在上季度卷入这场热潮。
DDR4，缺货仍严重
5 月起，DDR4 开始供需失衡五八策略，7 月底缺货情形达到新的高峰，价格明显上涨。DDR4 迅速涨价，是因为此前占据该系列产品全球市场份额约 95% 的三星、SK 海力士、美光三大存储巨头宣布加速淡出 DDR4 产能，引发市场恐慌性备货。
而这三大原厂计划退出 DDR4 市场是因为计划将产能向高端产品，比如 HBM3E 等产品倾斜。要知道 HBM3E 毛利率超 60%，是 DDR4 的 3 倍以上，随着 AI 服务器需求持续火爆，HBM3E 有望带来更可观的收入。
当前 DDR4 报价已高于更高规格的 DDR5，出现 "价格倒挂" 现象，业界人士直言 " DDR4 现货价超过新一代 DDR5 的奇观已十年未见"。
尽管巨头们退场，但 DDR4 在多个领域仍有着庞大的需求。2024 年，全球 DRAM 市场规模约 973 亿美元，DDR4 占比 40%，约 389 亿美元。在利基细分市场，全球规模约 95.7 亿美元，中国占据 60% 份额。其中，车用领域 ADAS、车载娱乐系统需求稳定，2024 年全球车用 DRAM 市场规模约 35 亿美元，DDR4 占比超 70%；工业领域智能制造设备、工业机器人需求刚性，市场规模约 28 亿美元，DDR4 占比超 80%。
巨头退出后，全球 DDR4 有效供给预计下降 50%-60%，消费电子领域降幅超 70%，不过五八策略车用、工业领域因保留供应，降幅约 20%-30%。
那么为什么下游客户不趁此机会转向 DDR5？这是因为在成本考量中，尽管 DDR5 是未来趋势，但在工业控制、安防监控、电视机顶盒等对性能要求不高、但对稳定性和兼容性要求极高的利基市场，DDR4 仍是更具性价比的选择。
市场分析指出，7 月底是 DDR4 缺货最严峻的时期，此后供需缺口将逐步收敛。但 DDR4 需求走低可能要等到 2026 年——预计 2025 年下半年至 2026 年上半年，部分应用仍将持续消耗 DDR4 库存，真正大规模转向 DDR5 或需等到 2026 年下半年。
随着 DDR4 价格的持续走高，这些芯片龙头似乎也有些"坐不住"了。最新市场报告显示，主要的韩国制造商可能会放缓 DDR4 的停产计划。
一些内存模块供应商透露，SK 海力士在停产态度上略有软化，最终订单的截止日期可能延长至 2026 年第四季度。
三星已讨论通过 2026 年第二季度延长使用 1z 和 1a 工艺节点的 DDR4 晶圆供应。然而，三星电子拒绝就生产计划传闻发表评论。
HBM 订单，抢得眼红
HBM 作为一款高收益 + 高需求的产品，没有一家存储公司看着不眼馋。然而，市场研究机构 Counterpoint Research 的数据显示，在当前的 HBM 市场中，单单是 SK 海力士一家就包揽了 62% 的出货份额，而三星的市场份额仅为 17%。
SK 海力士与三星的增长轨迹在 2024 年上半年开始明显分化，至于分化的原因，还要从 HBM3 的量产开始。
由于 HBM3 开发进度领先于竞争对手，之前很长一段时间内，SK 海力士都是英伟达 HBM 的独家供应商。虽说之后英伟达将另外两大存储芯片原厂也纳入了 HBM 供应商名单，但 SK 海力士仍占据重要地位。
随后在 2024 年 3 月，SK 海力士宣布成功量产超高性能用于 AI 的存储器新产品 HBM3E，并在 3 月末开始向客户供货。相比之下，三星虽推出 HBM3E 产品，但因未获英伟达认证，HBM 销售额占 DRAM 收入较低。
于是由 HBM3E 带来的丰厚收益大都被 SK 海力士收入囊中。单单是 2024 年上半年，SK 海力士的 HBM 销售额就增长了 250% 以上。
尽管已经输掉了第一场竞争，但三星已在第二轮竞争中卯足力气。
如今三星押注其 12 层 HBM3E 向 SK 海力士展开正面竞争。据韩媒报道，12 层 HBM3E 是利用硅通孔（TSV）技术将 DRAM 存储芯片堆叠到 12 层，这也成为下半年 AI 半导体市场重要战场。
三星表示 HBM3E 可望于第三季获得英伟达认证并开始出货，待相关程序完成后，将可望量产供货。SK 海力士也加入竞争行列，准备第三季量产 12 层 HBM3E 产品。据报道，SK 海力士目前向英伟达供应之前的 8 层 HBM3E，但尚未收到 12 层版本的验证申请。
不过，仅仅是 12 层 HBM3E 通过英伟达认证还远远不够，毕竟在 HBM 这条道路上，SK 海力士已占尽先机。
据悉，为应对 HBM 需求激增，SK 海力士正筹备在清州 M15 工厂增设 HBM 专用后工序产线，这是该工厂第二次增设 HBM 后工序产线。此前，SK 海力士已在 M15 建立 HBM 硅通孔（TSV）加工产线。
除了上述三家存储芯片龙头外，近日几家国产存储芯片公司也拿出今年上半年的答卷。
国产存储公司，交出答卷
DDR4 爆火之际，国产存储芯片公司也有了"可乘之机"。
兆易创新的 19nm DDR4 芯片受到了工控客户的抢购，澜起科技DDR4 内存接口芯片需求激增。江波龙旗下 Lexar 品牌的 DDR4 内存条覆盖消费级和企业级市场。德明利也提供 DDR3、DDR4 存储等等。
近日，澜起科技和德明利均公布了 Q2 业绩预告，一起看看 Q2 存储市场的火热是否在这些公司的财报中得到体现？
7 月 14 日，澜起科技披露业绩预告，公司预计 2025 年上半年实现营业收入 26.33 亿元，较上年同期增长约 58.17%，扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润约为 10.30 亿元至 11.20 亿元，较上年同期增长约 89.17% 至 105.71%。
这份亮眼财报的背后是全球 AI 浪潮下澜起科技核心产品 DDR5 内存接口及模组配套芯片出货量显著增长，且第二子代和第三子代 RCD 芯片出货量占比增加，推动公司内存接口及模组配套芯片销售收入大幅增长。
7 月 9 日晚间，德明利发布 2025 年上半年业绩预告，公司预计上半年实现营业收入约 38 亿元至 42 亿元，同比增长 74.63% 至 93.01%，归母净利润预计为 -8000 万元至 -12000 万元。
公告显示，报告期内德明利营收同比大幅增长，主要得益于存储芯片市场供需结构的持续改善及公司高端产品布局成效的持续释放。其中 2025 年 Q2 营收规模增速亮眼，预计实现营业收入 25.48 亿元至 29.48 亿元，同比增幅超过 86.67%。
在半导体产业周期性波动与地缘政治因素交织影响下，Q2 存储器市场呈现超预期反弹态势。TrendForce 集邦咨询此前数据显示，第二季 DRAM 合约价季涨幅将上修至 13~18%；NAND Flash 合约价季涨幅同步上修至约 15~20%，全线产品仅 eMMC/UFS 价格涨幅较小，约 10%。
此外，TrendForce 还公布了 NAND Flash 在今年 Q3 的价格走势，数据显示，Q3 NAND Flash 合约价环比增长 5% 至 10%。
不过，仍需重视的是尽管国际大厂的退出让出了市场空间，但本土厂商依然面临许多现实挑战。比如，目前国内企业与国际巨头在 HBM 以及最先进的 DRAM 制程等高性能存储领域，仍存在一定差距。
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